- デバイス設計 ・有限差分時間領域（FDTD）法によりデバイス内部の電界分布をシミュレーションし、高性能が得られるデバイス構造を検討します。
- 薄膜成長 ・Siウエハを切断、洗浄、熱酸化して薄膜成長用基板を作製します。
- 微細加工1 ・フォトリソグラフィ、ドライエッチングなどによって、ミクロン幅の細線に微細加工します。
- 微細加工2 ・さらに微細なナノ加工が必要な場合は、修士学生が北大ナノテクの装置を利用して、nmサイズの微細加工を行います。
- 特性評価 ・ホルダに取り付け、顕微鏡下で光ファイバと集光位置を合わせます。
・CADソフトでデバイス図面を作成します。
・スパッタ薄膜成長装置、MBE薄膜成長装置などを用いて、超伝導薄膜を成長します。
・X線回折、抵抗率測定により薄膜の特性を評価します。
・フォトリソグラフィ、金蒸着などによって、電極部分を作製します。
・ダイシングによって各チップに切断します。
・試料を冷却し、I-V特性などデバイスの電気伝導特性を測定します。
・光ファイバを通してレーザ光を照射し、量子効率、暗計数率、ジッタなど光デバイス特性を測定します。
